История кафедры Электронных приборов (ЭП)

Подготовка инженеров по электронным приборам, - тогда по электровакуумной технике, - начата в Томском политехническом институте (ТПИ) в 1945 году. Первый набор на эту специальность произведен в 1946 г. Сначала курировала подготовку студентов первой группы "вакуумщиков" кафедра Электро-изоляционной и кабельной техники. Позднее, когда возникла задача создать лаборатории по профилирующим дисциплинам, в 1949 г. была организована кафедра Электровакуумной техники, в 1957 г. переименованная в кафедру "Электронные приборы".

Переименование кафедры является не простым изменением названия, а связано с требованием углубления подготовки специалистов и повышения качества инженеров по электронным приборам. Специальность "Электровакуумная техника", в рамках которой велась подготовка специалистов широкого профиля, способных разрабатывать как электронные, так и газоразрядные (ионные) приборы, разделилась на две: "Электронные приборы" и "Промышленная электроника". С таким разделением создавалась возможность обеспечить углубленное изучение процессов в электронных приборах, вопросов расчета и конструирования электронных ламп, фотоэлементов, электронно-лучевых трубок, приборов СВЧ и УКВ-диапазонов, а также других приборов и устройств, в которых функционируют потоки электронов и электронные лучи.

В рамках специальности "Промышленная электроника" предполагалось готовить инженеров по разработке ионных приборов, на которых создавались схемы электропривода и автоматизации управления промышленными установками В 1959 г. кафедра была переведена в корпуса N10 и N11, где получила помещение на первом и третьем этажах. Позднее все лаборатории кафедры были размещены в корпусе N11. В этот период кафедре было поручено начать подготовку инженеров по специальности "Промышленная электроника", пока не была создана профилирующая кафедра по этой специальности. Кафедра в этот период вела обучение студентов радиотехнического и электромеханического факультетов по дисциплинам "Электронные приборы" и "Промышленная электроника". Загрузка некоторых лабораторий доходила до 40-42 часов в неделю. Состав кафедры вырос до 12 человек профессорско-преподавательского состава и 6 человек учебно-вспомогательного персонала. С момента создания кафедры сотрудники кафедры в составе зав. кафедрой доцента Гулько Б.Н. и Гулина Д.А. и энтузиасты-студенты приступили к монтажу и наладке лабораторных установок и макетов для прохождения лабораторных занятий по профилирующим дисциплинам. Для размещения лабораторий институт выделил для кафедры один большой зал в подвале химкорпуса. В этом помещении были размещены лабораторные практикумы по физическим основам электронной техники, по электровакуумным приборам и ионным приборам, по электронно-лучевым приборам, по генераторам и индикаторам лучистой энергии, по приборам сверхвысоких частот, а также лабораторные установки для практикума по технологии производства электронных ламп. Несмотря на то, что многие технологические установки были изготовлены руками студентов, в лаборатории студенты из заводских заготовок могли смонтировать "арматуру" электронной лампы, заварить ее в стеклянную колбу, обезгазить ее с помощью индукционного нагрева, откачать, отпаять лампу и провести испытания ее параметров.

В этом же помещении были развернуты научные исследования по электронной оптике электронных инжекторов для бетатронов, к разработке которых в тот период приступили cотрудники физико-технического факультета.

В 1954 году коллектив кафедры пополнился выпускниками ленинградского электротехнического института. Заведовать кафедрой стал доцент В.П. Панов. К.т.н. Зильберман, асс. Афанасьева Е.М., Кантер Б.З. читали основные профилирующие дисциплины.

В 1957 году, когда обнаружилось, что помещение кафедры заражено ртутью, ректор института обвинил в этом В.П.Панова, последний обиделся и уехал из Томска. Позднее уехали и другие выпускники - ленинградцы.

Заведующим кафедрой был назначен к.т.н. Д.А.Носков. Кафедра получила дополнительные помещения на первом этаже химкорпуса. Преподавательский состав кафедры пополнился выпускниками этой специальности, составившими впоследствии основной ее костяк: Л.А.Левшук, Г.С.Казьмин, Л.П.Пономарева и др. В это время благодаря усилиям старшего преподавателя Л.А.Левшука кафедра получила с заводов Новосибирска и Ленинграда несколько единиц технологического оборудования, что позволило обновить оборудование лаборатории технологии электронных приборов.

Эта перестройка, совпавшая с разделением специальности на две - "Электронные приборы" и "Промышленная электроника" привела к некоторому расширению научно-исследовательской работы. Кроме традиционных исследований по электронной оптике сотрудники кафедры подключились к разработке технологии изготовления отпаянных вакуумных камер для бетатронов, приступили к расчету и конструированию нового электронного ускорителя - микротрона, который предназначался для предварительного ускорения электронов, инжектируемых в мощный ускоритель "Сириус", разрабатываемый в политехническом институте. В научно-исследовательской работе кафедры в 1959-1960 гг. произошли изменения. Сотрудники кафедры развернули исследования по генерированию и формированию импульсных электронных пучков с высокой плотностью мощности, а также по извлечению электронов и ионов из плазмы замагниченного разряда. В 1960 году был заключен хоздоговор с заводом "Эмальпровод" на разработку электронно-лучевой установки для сверления отверстий в алмазе. На экспериментальной установке в лаборатории кафедры параллельно с разработкой установки для завода велись исследования закономерностей взаимодействия импульсных электронных пучков с твердотельными образцами, в том числе и с кристаллами алмаза.

В 1962 году кафедра вместе с другими кафедрами радиотехнического факультета была переведена во вновь созданный институт радиоэлектроники и электронной техники (ТИРЭТ), где получила площади для размещения лабораторий на 1 и 3 этажах , а под преподавательскую было выделено помещение на втором этаже . В этот период был объявлен на специальность "Электронные приборы" дополнительный набор, была открыта подготовка инженеров по этой специальности на вечернем и заочном отделениях факультета. Численный состав кафедры возрос до 16 преподавателей и 8 человек учебно-вспомогательного персонала. Возросло также общее число аспирантов очного и заочного обучения до 15 человек.

Несмотря на монтаж оборудования и модернизацию лабораторных стендов учебные занятия в лабораториях кафедры практически не прекращались.

Укреплялись и расширялись связи кафедры с предприятиями и научно-исследовательскими институтами Томска, Новосибирска, Москвы, Ленинграда и других городов России. Студенты специальности проходили производственные практики на передовых предприятиях Новосибирска, Томска и Москвы, специалисты заводов и НИИ Новосибирска обучались в заочной аспирантуре кафедры. Расширялась тематика научных исследований и возрастал объем хоздоговорных работ , увеличивался штат сотрудников научно-исследовательского сектора. Наряду с разработкой электронно-лучевых установок для сверления алмаза развернулись работы по созданию газоразрядных электронных пушек для сварки , импульсных электронно-лучевых комплексов для динамической балансировки роторов гироскопов, начались исследования возможностей получения и формирования пучков ионов металлов и других твердых элементов с разделением ионов по массам, завершившиеся созданием малогабаритных ионно-лучеых установок для легирования полупроводников. Результаты теоретических и экспериментальных исследований по проблемам получения и формирования пучков заряженных частиц , разработки электронных пушек и ионных источников технологического назначения , а также по взаимодействию заряженных частиц с веществом , составили основу нескольких кандидатских и докторских диссертаций . В 1971 г докторскую диссертацию защитил зав. кафедрой Носков Д.А., в 1972 году - доцент Крейндель Ю.Е., несколько позднее - доцент Груздев В.А. Кандидатские диссертации по указанной тематике были защищены Гутовой Л.А., Злобиной А.Ф., Пономаревой Л.Л., Шангиным А.С., Панковцом Н.Г., Фахрутдиновым Э.Н., Злобиным В.Н., Васильевой Г.Г., Никитинским Н.И., Разниковым П.А., Красновым и др.

Всего через кафедру прошли обучение в очной и заочной аспирантуре более тридцати сотрудников предприятий и НИИ Новосибирска, института сильноточной электроники, завершившихся защитами кандидатских диссертаций.

Широкий профиль подготовки выпускников специальности "Электронные приборы" и навыки научно-исследовательской работы, полученные в процессе обучения, способствовали активному включению выпускников в научные исследования на предприятиях и НИИ по месту работы.

Не случайно среди выпускников кафедры более 10 докторов наук, 12 лауреатов Государственных премий СССР и России, более 40 кандидатов наук В течение 1978-1979 гг. кафедра была переведена в корпус Факультета Электронной техники (ФЭТ), где были выделены помещения на 1 и 3 этажах для размещения учебных и научных лабораторий:

  • 101 - лаборатория высоковольтного тлеющего разряда;
  • 104 - препараторская - мастерская;
  • 106 - лаборатория электронно-лучевых устройств;
  • 108 - научно-исследовательская лаборатория;
  • 110 - лаборатория физических основ электроники;
  • 112 - стеклодувная;
  • 113 - лаборатория технологии электронных приборов;
  • 120 - кабинет зав. кафедрой;
  • 306 - лаборатория техники безопасности;
  • 310 - лаборатория полупроводниковых приборов;
  • 312 - преподавательская;
  • 313 - лаборатория электронных приборов;
  • 314 - лаборатория электронно-лучевых приборов.

Позднее 312 аудитория была передана в НИИ АМ, лаборатория электронно-лучевых приборов была совмещена с лабораторией электронных приборов (313), а в 314 аудитории разместилась преподавательская кафедры. В помещении 122 разместился вычислительный класс кафедры.

В 1985 году в связи с пенсионным возрастом Носкова Д.А. на должность зав. кафедрой был избран д.т.н., директор института сильноточной электроники Сибирского отделения А.Н. СССР Бугаев С.П. С его приходом получили дальнейшее развитие исследования по дуговому разряду, связанные с разработкой ионно-лучевых установок и генераторов плазмы на основе вакуумной дуги. Была открыта лаборатория плазменной электроники, оснащенная силами сотрудников кафедры (Н.Г.Панковцом, Л.Н.Орликовым, А.И.Аксеновым, А.Н.Толопой и др.) В период с 1985 года до 1990 года активизировалась изобретательская и рационализаторская работа на кафедре (отв. проф. Д.А.Носков). Общее количество изобретений, созданных сотрудниками кафедры, насчитывало 100 работ. Кафедра несколько лет занимала первое место по изобретательской и рационализаторской работе, а профессор Д.А.Носков, как автор 101 изобретения, являлся одним из лучших изобретателей института.

Новыми лабораторными установками пополнились учебные лаборатории технологии и автоматизации электронных приборов, испытаний электронных и ионных приборов и др.

В 1990 году после ухода С.П.Бугаева на место заведующего кафедрой Электронных приборов был приглашен доктор физико-математических наук С.М.Шандаров.